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IRF7322D1詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 2.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7322D1PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 2.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7322D1TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 2.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7322D1TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 2.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7322D1TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 2.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7322D1TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 5.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：62 毫歐 @ 2.9A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：29nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：780pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

KPT06E18-11PDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 11POS W/PIN CABLE
IXBK75N170
IGBT - 單路 IXYS TO-264-3，TO-264AA IGBT BIMOSFET 1700V 200A TO-264
IRF7321D2TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 4.7A 8-SOIC
ECJ-3YB1E225K
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 2.2UF 25V 10% X5R 1206
LM4051AEM3-ADJ/NOPB
PMIC - 電壓基準 Texas Instruments TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VREF SHUNT PREC ADJ SOT-23-3
KPSE02E16-23S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 23POS BOX MNT SKT
KPT06E18-32PDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS W/PIN CABLE
IRF830L
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 500V 4.5A TO-262
K471K10C0GF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 50V 10% RADIAL
ECJ-3YB1E474K
陶瓷 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制） CAP CER 0.47UF 25V 10% X7R 1206
LM4051AIM3-1.2
PMIC - 電壓基準 Texas Instruments IC VREF SHUNT PREC 1.225V SOT23
KPSE02E16-26PA206
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 26POS BOX MNT W/PINS
IRF8313TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 9.7A 8-SOIC
KPT06E18-32PZ
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 32POS W/PIN CABLE
K471K10C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V 10% RADIAL

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