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IRF740A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF740AL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF740ALPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF740APBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF740AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF740ASPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：400V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：550 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：36nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1030pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF7404TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 6.7A 8-SOIC
IRF2204LPBF
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 40V 170A TO-262
DTS26F17-99SE
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 23POS STRGHT W/SKT
HCM11DSAI
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非標(biāo)準(zhǔn) CONN EDGECARD 22POS R/A .156 SLD
DTS24F17-99JE
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 23POS JAM NUT W/SKT
E32-T14 5M
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS LONG DIST THRUBEAM SIDE 5M
IMI04160
儀表 - 面板，數(shù)字 Red Lion Controls SC-74，SOT-457 PNL METER DIGITAL 115/230VAC
DTS26F19-11BC
圓形 - 外殼 TE Connectivity CONN HSG PLUG STRGHT 11POS SKT
IPM300
DC DC Converters Emerson Network Power 18-DIP 模塊 POWER SUPPLY DC/DC 300W
HCM11DSAN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions 非標(biāo)準(zhǔn) CONN EDGECARD 22POS R/A .156 SLD
DTS24F17-99PA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN RCPT 23POS JAM NUT W/PINS
E32-T14F
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER FLUORORESIN SIDEVIEW
DTS26F19-11HA
連接器，互連器件 TE Connectivity CONN PLUG 11POS STRGHT W/PINS
IPP020N06N
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSF N CH 60V 29A TO220-3
IRF740ASTRRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 400V 10A D2PAK

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