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IRF7503TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7503TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：Digi-Reel®

IRF7503TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7503TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7503TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET N-CH DUAL 30V 2.4A MICRO8; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個(gè) N 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.4A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：135 毫歐 @ 1.7A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：210pF @ 25V; 功率_最大：1.25W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：Micro8?; 包裝：Digi-Reel®

KMPC850DEVR80BU
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 256-BGA IC MPU PWRQUICC 80MHZ 256-PBGA
KPSE01F20-39S
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 39POS CBL MNT SKT
IRF7503TR
FET - 陣列 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET 2N-CH 30V 2.4A MICRO8
KPT06E10-6P23
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS W/PIN CABLE
K393K15X7RF5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
IMC1210BN6R8J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 6.8UH 5% 1210
KMPC850DEZQ50BU
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 256-BGA IC MPU PWRQUICC 50MHZ 256-PBGA
IRF6655TRPBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 SH MOSFET N-CH 100V 4.2A DIRECTFET
IVS3-3Q2-3Q2-3Q2-00-B
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY
KPT06E10-6SDN
連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 6POS W/SKT CABLE
K393K15X7RF5UL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.039UF 50V 10% RADIAL
IMC1210BN820J
固定式 Vishay Dale 1210（3225 公制） INDUCTOR WW 82UH 5% 1210
IRF6662TR1PBF
FET - 單 International Rectifier DirectFET? 等容 MZ MOSFET N-CH 100V 8.3A DIRECTFET
KMPC850DSLZQ50BU
嵌入式 - 微處理器 Freescale Semiconductor 256-BGA IC MPU PWRQUICC 50MHZ 256-PBGA
IVS3-3T0-3T0-1T0-3T0-M0-B
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power IVS CONFIGURABLE POWER SUPPLY

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