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IRF7807VD2詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7807VD2PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF7807VD2TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7807VD2TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF7807VD2TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF7807VD2TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：二極管（隔離式）; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：25 毫歐 @ 7A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

ISL6323CRZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 IC HYBRID CTRLR PWM MONO 48-QFN
HCPL-0900-500E
數(shù)字隔離器 Avago Technologies US Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） ISOLATOR DGTL 1CH 100MBD 8-SOIC
E32-TC200D4
配件 Omron Electronics Inc-IA Div - SENS FIBER 4CM TIP
IRF7807VD2TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 8.3A 8-SOIC
E3B2-D2M4D-US
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS RELAY TIMER 2M DIFFUSE REFL
HH-3450-C
箱 - 配件 Bud Industries 徑向，圓盤 KIT BATTERY CONTACT AA GRABBER
ISC1812ER3R3J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 3.3UH 5% 1812
ISL6323EVAL1Z
評估板 - DC/DC 與 AC/DC（離線）SMPS Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 EVAL BOARD 1 FOR ISL6323
HCPL-090J
數(shù)字隔離器 Avago Technologies US Inc. 16-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） ISOLATOR DIG 100MBD 4CH 16-SOIC
E3B2-D2M4D-US-3
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS RELAY TIMER 2M DIFFUSE REFL
ISC1812ER4R7J
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 4.7UH 5% 1812
HH-3465
箱 Bud Industries 徑向，圓盤 BOX ABS 2.50X1.63X0.80" BLK
HCPL-0931
數(shù)字隔離器 Avago Technologies US Inc. 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） ISOLATOR HS DIG DUAL BI 8-SOIC
ISL6324IRZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 IC HYBRID CTRLR PWM DUAL 48-QFN
E32-TC200E
配件 Omron Electronics Inc-IA Div SENS FIBER M3 THRU BEAM

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