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IRF7862TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4090pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

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IRF7862TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 21A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：21A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.7 毫歐 @ 20A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 100µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4090pF @ 15V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

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