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IRF840A詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF840AL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF840ALPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF840APBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：125W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF840AS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF840ASPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1018pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

PCA8575D,118
接口 - I/O 擴(kuò)展器 NXP Semiconductors 24-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC I/O EXPANDER I2C 16B 24SOIC
NZL5V6AXV3T1
TVS - 二極管 ON Semiconductor SC-89，SOT-490 TVS ZENER DUAL 50W 5.6V SC89
OSTYK50515330
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 15CIRC 9.50MM
IRF8327STRPBF
其它 International Rectifier MOSFET N-CH 30V 14A DIRECTFET
P1330-683K
固定式 API Delevan Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 68.0UH SMD
IRFR9014PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
OSTVJ102150
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 5.08MM 10POS PCB
P50-080PG-SR1-EA
板對板 - 陣列，邊緣類型，包廂 3M 鈕扣電池 CONN PLUG 80POS R/A .050" GLD
NZL5V6AXV3T1G
TVS - 二極管 ON Semiconductor SC-89，SOT-490 TVS ZENER DUAL 50W 5.6V SC89
OSTYK50603130
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 3CIRC 9.50MM
IRFR9014TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 60V 5.1A DPAK
P1330-683K
固定式 API Delevan Inc 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 68.0UH SMD
OSTVJ102152
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK RISING CLAMP 10POS
P50-080-STR-BSK
矩形 - 配件 3M 鈕扣電池 CONN BACKSHELL 80POS STR .050"
NZ-Q28
尖端，噴嘴 OKI/Metcal 24-VFQFN 裸露焊盤 NOZZLE QUAD 28MM X 28MM

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