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IRF840LCS詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF840LCSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF840LCSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRF840LCSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 500V 8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：500V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：8A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：850 毫歐 @ 4.8A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：39nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FLZ10VB
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 10V 500MW SOD-80
IXFA4N100P
FET - 單 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 4A D2PAK
IRF840LCL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 500V 8A TO-262
ISL90462UIE627Z-TK
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC XDCP 32-TAP 50KOHM SC70-6
IDT7007S15PF
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 80-LQFP IC SRAM 256KBIT 15NS 80TQFP
ISL32601EFUZ-T7A
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC TXRX RS485/422 ESD 8MSOP
IDT71V67703S85PFG8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 85NS 100TQFP
IDT71V3559S85BGI
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 119-BGA IC SRAM 4MBIT 85NS 119BGA
IXFA4N100Q-TRL
FET - 單 IXYS TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 1000V 4A TO-263
ISL32602EFBZ-T7A
接口 - 驅(qū)動(dòng)器，接收器，收發(fā)器 Intersil 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485/422 ESD 14SOIC
ISL90726UIE627Z-TK
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC POT DGTL 50K OHM SC70-6
FLZ10VC
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 10V 500MW SOD-80
IDT71V3559S85PFG8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 4MBIT 85NS 100TQFP
IDT71V67802S133PFI8
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 9MBIT 133MHZ 100TQFP
IXFB100N50P
FET - 單 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 500V 100A PLUS264

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IRF840LCS 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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FLZ10VB

IXFA4N100P

IRF840LCL

ISL90462UIE627Z-TK

IDT7007S15PF

ISL32601EFUZ-T7A

IDT71V67703S85PFG8

IDT71V3559S85BGI

IXFA4N100Q-TRL

ISL32602EFBZ-T7A

ISL90726UIE627Z-TK

FLZ10VC

IDT71V3559S85PFG8

IDT71V67802S133PFI8

IXFB100N50P

IRF840LCS 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

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