IRF9530詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 12A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 7.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V
- 功率_最大：88W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF9530L詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 12A TO-262
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：12A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：300 毫歐 @ 7.2A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：860pF @ 25V
- 功率_最大：3.7W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：I2PAK
- 包裝：管件
IRF9530NL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF9530NPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：79W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF9530NS詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF9530NSPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：100V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：14A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 8.4A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：58nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：760pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 1M OHM 8 RES 1608
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
- FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET P-CH 100V 6.8A TO-262
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 5.6UH 6.0A SMD
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 250V 2.2A 8-SOIC
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 36A D2PAK
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 120 OHM 8 RES 1608
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 210K OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 6.8A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 8200UH .17A SMD
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 15A 8-SOIC
- 網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 150 OHM 8 RES 1608
- 芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 215 OHM 1W 1% 2512 SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 14A D2PAK
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 54A D2PAK
0755-83200050 
0755-23999932 
