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IRF9953詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF9953PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：管件

IRF9953TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

IRF9953TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：Digi-Reel®

IRF9953TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：剪切帶 (CT)

IRF9953TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 陣列; 描述：MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：2 個 P 溝道（雙）; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：2.3A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：250 毫歐 @ 1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：190pF @ 15V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-SO; 包裝：帶卷 (TR)

ECW-F6364RJL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.36UF 630VDC RADIAL
K331M15X7RH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V X7R RADIAL
IRF9953TR
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET 2P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
LMD5IW-Q
線槽，走線系統(tǒng) - 附件 Panduit Corp 20-DIP（0.300"，7.62mm） MOUNT STRAP IMPACT RES LDS5 WHT
ECS-35-S-5P-TR
晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 3.579545MHZ SERIES SMD
K271K15X7RK5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 200V 10% RADIAL
KT11S2SA2M35LFG
觸摸 C&K Components SWITCH TACTILE SPST-NO 1VA 32V
ECW-F6394HL
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.39UF 630VDC RADIAL
L4931ABDT50-TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 IC REG LDO 5V .25A DPAK
ECS-35-S-7SX-TR
晶體 ECS Inc 4-SOJ，9.40mm 間距 CRYSTAL 3.579545MHZ SERIES SMD
LME
配件 Carling Technologies 20-DIP（0.300"，7.62mm） MOUNTING PANEL END ROCKER
K271K15X7RK5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 270PF 200V 10% RADIAL
KT2520F26000ZAW18TKK
振蕩器 AVX Corp/Kyocera Corp 6-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR TCXO 26.000MHZ SMD
L4931CD50-TR
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 STMicroelectronics 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC REG LDO 5V .25A 8-SOIC
K331M15X7RK5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 200V X7R RADIAL