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IRF9Z14詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9Z14L詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF9Z14LPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRF9Z14PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：43W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRF9Z14S詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF9Z14SPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 60V 6.7A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：6.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：500 毫歐 @ 4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：12nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

ISL43141IR
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH QUAD SPST 16QFN
IRF9953TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） HEX/MOS P-CH DUAL 30V 2.3A 8SOIC
IDT7016S20G
存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 68-BPGA IC SRAM 144KBIT 20NS 68PGA
FLZ5V6C
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 5.6V 500MW SOD-80
IXFK110N07
FET - 單 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 70V 110A TO-264AA
ISL84543CPZ
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC SWITCH DUAL SPST 8DIP
IDT7203L25J8
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引線） IC MEM FIFO 2048X9 25NS 32-PLCC
ISL9205BIRZ-T
PMIC - 電池管理 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC CHRGR LI-ION SGL 4.2V 10-DFN
ISL43141IR-T
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH QUAD SPST 16QFN
IXFK150N10
FET - 單 IXYS TO-264-3，TO-264AA MOSFET N-CH 100V 150A TO-264AA
FLZ6V2B
單二極管/齊納 Fairchild Semiconductor SOD-80 DIODE ZENER 6.2V 500MW SOD-80
IDT7203L25TP
邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 28-DIP（0.300"，7.62mm） IC MEM FIFO 2048X9 25NS 28-DIP
ISL84543IB-T
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC SWITCH DUAL SPST 8SOIC
ISL9205CIRZ
PMIC - 電池管理 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC CHRGR LI-ION SGL 4.25V 10-DFN
ISL43141IRZ
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 16-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH QUAD SPST 16QFN

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IRF9Z14 全國供應商、價格、PDF資料

IRF9Z14詳細規格

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IRF9Z14S詳細規格

IRF9Z14SPBF詳細規格

IRF9Z14供應商

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FLZ5V6C

IXFK110N07

ISL84543CPZ

IDT7203L25J8

ISL9205BIRZ-T

ISL43141IR-T

IXFK150N10

FLZ6V2B

IDT7203L25TP

ISL84543IB-T

ISL9205CIRZ

ISL43141IRZ