IRF9Z34詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 60V 18A TO-220AB
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：60V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：140 毫歐 @ 11A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1100pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF9Z34NL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF9Z34NLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A TO-262
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA
- 供應商設備封裝：TO-262
- 包裝：管件
IRF9Z34NPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A TO-220AB
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：68W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3
- 供應商設備封裝：TO-220AB
- 包裝：管件
IRF9Z34NSPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：管件
IRF9Z34NSTRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：19A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 10A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：620pF @ 25V
- 功率_最大：3.8W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB
- 供應商設備封裝：D2PAK
- 包裝：帶卷 (TR)
- PMIC - 電池管理 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 IC MULTI-CELL LI-ION PROT 32-QFN
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH TRIPLE SPDT 20QFN
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 64KBIT 55NS 100TQFP
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 55V 19A D2PAK
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 10-TFSOP，10-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC SWITCH DUAL SPDT 10MSOP
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 32-LCC（J 形引線） IC FIFO 4KX9 50NS 32PLCC
- 存儲器 Ramtron 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC FRAM 64KBIT 70NS 28SOIC
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC SWITCH QUAD SPDT 20QFN
- PMIC - 電池管理 Intersil 32-VFQFN 裸露焊盤 IC MULTI-CELL LI-ION PROT 32-QFN
- 邏輯 - FIFO IDT, Integrated Device Technology Inc 28-DIP（0.600"，15.24mm） IC FIFO 8192X9 12NS 28PDIP
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil 6-TSSOP，SC-88，SOT-363 IC SWITCH SPDT SC70-6
- PMIC - 電池管理 Intersil 24-VFQFN 裸露焊盤 IC MULTI-CELL LI-ION PROT 24-QFN
- 接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 Intersil * IC MUX/DEMUX 1 X 4:1 16QFN
- 存儲器 Ramtron 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC FRAM 64KBIT 70NS 28SOIC
- 存儲器 IDT, Integrated Device Technology Inc 100-LQFP IC SRAM 64KBIT 15NS 100TQFP
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