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IRFBE20詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFBE20L詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-262; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I2PAK; 包裝：管件

IRFBE20PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A TO-220AB; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFBE20S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFBE20STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFBE20STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：800V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：6.5 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：38nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：530pF @ 25V; 功率_最大：54W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

CS-FM-MSR
同軸，RF Crystek Corporation SOD-123T RF CONN 2.92(K) (.085) STR PLUG
IRFBC40STRR
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 600V 6.2A D2PAK
EXB-H5E474J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 5-SSIP RES ARRAY 470K OHM 4 RES 5-SSIP
CRCW2512240KFKTG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 240K OHM 1W 1% 2512 SMD
CSFMT108-HF
單二極管/整流器 Comchip Technology SOD-123H DIODE 600V 1A SOD-123H
IKP20N60T
IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-220-3 IGBT 600V 40A 166W TO220-3
IRFBE20S
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 800V 1.8A D2PAK
IRF7603TR
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
CSINI800
配件 Red Lion Controls SOD-123H 8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD
EXB-H5E684J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 5-SSIP RES ARRAY 680K OHM 4 RES 5-SSIP
IKU04N60R
IGBT - 單路 Infineon Technologies TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA IGBT 600V 8A 75W TO251-3
IRF7603TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） MOSFET N-CH 30V 5.6A MICRO8
CSINI800
配件 Red Lion Controls SOD-123H 8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD
IRFBE30SPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 800V 4.1A D2PAK
CSINI800
配件 Red Lion Controls SOD-123H 8 CHANNEL 0(4)-20 MA INPUT MOD

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