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IRFHS8242TR2PBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 8.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：653pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVQFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：Digi-Reel®

IRFHS8242TR2PBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 8.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：653pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVQFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：帶卷 (TR)

IRFHS8242TR2PBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 25V 9.9A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén); 漏極至源極電壓333Vdss444：25V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：9.9A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：13 毫歐 @ 8.5A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.35V @ 25µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：10.4nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：653pF @ 10V; 功率_最大：2.1W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVQFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：剪切帶 (CT)

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