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IRFL024Z詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57.5 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRFL024ZPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57.5 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRFL024ZTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57.5 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

IRFL024ZTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57.5 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFL024ZTRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：5.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：57.5 毫歐 @ 3.1A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：340pF @ 25V; 功率_最大：1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

E3X-CIF11
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COMPOWAY/F COMM UNIT FOR E3XDAN
IRFL024ZTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 55V 5.1A SOT223
HCM03DRYN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 6POS DIP .156 SLD
IRS2113MPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 16-VFQFN 裸露焊盤 IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16MLPQ
ISL28210FBZ-T7
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP JFET 12.5MHZ DUAL 8SOIC
HK10054N3S-T
固定式 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） INDUCTOR HIFREQ 4.3+/-0.3NH 0402
ISL6324AIRZ
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 IC HYBRID CTRLR PWM DUAL 48QFN
E3X-CIF11
配件 Omron Electronics Inc-IA Div COMPOWAY/F COMM UNIT FOR E3XDAN
IR3536MTRPBF
其它 International Rectifier IC CTRLR PWM 6-PHASE 48QFN
IRS2113SPBF
PMIC - MOSFET，電橋驅(qū)動器 - 外部開關(guān) International Rectifier 16-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC DRIVER HIGH/LOW SIDE 16-SOIC
ISL28213FUZ
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OPAMP GP RRIO 2MHZ DUAL 8MSOP
ISL6324CRZ-T
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 48-VFQFN 裸露焊盤 IC HYBRID CTRLR PWM DUAL 48-QFN
HK10054N7S-T
固定式 Taiyo Yuden 0402（1005 公制） INDUCTOR HIFREQ 4.7+/-0.3NH 0402
E3X-CN11
配件 Omron Electronics Inc-IA Div MSTR CONN FOR E3XDA6 & E3XDA8
IR3538MTRPBF
其它 International Rectifier IC CTRLR PWM 8-PHASE 56QFN

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IRFL024Z 全國供應(yīng)商、價格、PDF資料

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IRFL024ZTRPBF

HCM03DRYN

IRS2113MPBF

ISL28210FBZ-T7

HK10054N3S-T

ISL6324AIRZ

E3X-CIF11

IR3536MTRPBF

IRS2113SPBF

ISL28213FUZ

ISL6324CRZ-T

HK10054N7S-T

E3X-CN11

IR3538MTRPBF