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IRFL9110詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 660mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRFL9110PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 660mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：管件

IRFL9110TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 660mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

IRFL9110TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 660mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFL9110TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 660mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：Digi-Reel®

IRFL9110TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：100V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.1A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.2 歐姆 @ 660mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.7nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：200pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-261-4，TO-261AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-223; 包裝：帶卷 (TR)

OSTHT231080
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CON TERMINAL BLOCK SPRING CLAMP
NX3L2T384GM,125
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 NXP Semiconductors 8-XFQFN 裸露焊盤 IC ANALOG SWITCH SPDT 8XQFN
IRFL9110TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-261-4，TO-261AA MOSFET P-CH 100V 1.1A SOT223
P112
配件 Electroswitch 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） DIAL PLATE 1-12 DIGIT 1.87" DIA
PBFS19019GY2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PANEL FRONT 19.2X19X0.5" GREY
OSTTA180161B
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK 5.00MM 18POS
P4KE62A
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-204AL，DO-41，軸向 DIODE TVS 400W 62V UNI 5% AXL
OSTV8205150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 20POS
NX3V1G384GM,115
接口 - 模擬開關(guān)，多路復(fù)用器，多路分解器 NXP Semiconductors 6-XFDFN IC ANALOG SWITCH SPST XSON6
P112
配件 Electroswitch 6-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） DIAL PLATE 1-12 DIGIT 1.87" DIA
OSTTB080161
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERMINAL BLOCK 5MM HOR 8POS PCB
PBFS19022LG2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PANEL FRONT 22.7X19X0.5" GREY
P4KE68A-B
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-204AL，DO-41，軸向 TVS DIODE AXIAL LEAD - BULK
OSTV8215151
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 21POS
OSTHT234080
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CON TERMINAL BLOCK SPRING CLAMP

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