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IRFR020TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR020TRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR020TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR020TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR020TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR020TRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 14A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：14A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：100 毫歐 @ 8.4A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：25nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：640pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

GQM1875C2E1R3CB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.3PF 250V NP0 0603
H3CCS-1006G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC10S/AE10G/HKC10S
IRFR014PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 60V 7.7A DPAK
IRFR2905ZTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 55V 42A DPAK
H5BXT-10110-V0-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2040V/X 10"
IRLZ34STRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 30A D2PAK
FP1107R2-R40-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR LO PROFLE 400NH 42A SMD
H3CCS-1636G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC16S/AE16G/HKC16S
GQM1875C2E1R6CB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.6PF 250V NP0 0603
H5BXT-10110-V2-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H2730TR/C2016V/X 10"
H3CCS-2636G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC26S/AE26G/HKC26S
IRLZ44NL
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 55V 47A TO-262
FP1109-1R0-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR LO PROFL 950NH 35A SMD
H3CCS-3018G
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC30S/AE30G/HKC30S
GQM1875C2E1R8BB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 1.8PF 250V NP0 0603

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