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IRFR1N60ATR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 840mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1N60ATRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 840mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1N60ATRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 840mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1N60ATRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 840mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR1N60ATRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 840mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR1N60ATRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 600V 1.4A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：600V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.4A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 840mA，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：229pF @ 25V; 功率_最大：36W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

P4SMA200A
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 200V UNI 5% SMD
P1171.222NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標準 INDUCTOR PWR SHIELD 2.2UH SMD
IRFR13N15DPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 14A DPAK
NX5DV330DS,118
接口 - 模擬開關，多路復用器，多路分解器 NXP Semiconductors 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC VIDEO MUX/DEMUX 1X2 16SSOP
OSTHY060080
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK SPRING 5.00MM 6POS
PBPA19005LG2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing SC-74，SOT-457 PANEL FRONT 19X5.22X0.13" GREY
OSTYK40322330
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 22CIRC 8.25MM
OSTVF045251
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 4POS 5.08MM
P4SMA200A
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 200V UNI 5% SMD
NX5DV713HF,118
線性 - 視頻處理 NXP Semiconductors 32-WFQFN 裸露焊盤 IC VGA SWITCH 1OF2 DUAL 32HWQFN
OSTHY130080
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc TERM BLOCK SPRING 5.00MM 13POS
PBPA19007CG2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing SC-74，SOT-457 PANEL FRONT 19X7X0.13" BE/GY
OSTYK41105030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 5CIRC 8.25MM
P4SMA200CA
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 200V BI 5% SMD
OSTVF047151
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HEADER 4POS 5MM

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