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IRFR224詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR224BTM_TC002詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Fairchild Semiconductor; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 1.9A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：18nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：450pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR224PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR224TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR224TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR224TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 250V 3.8A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：250V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：3.8A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.1 歐姆 @ 2.3A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：14nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：260pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

OSTVF185251
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc CONN TERM BLK HDR 18POS 5.08MM
P4SMA300CAHE3/5A
TVS - 二極管 Vishay Semiconductor Diodes Division DO-214AC，SMA TVS 300W 300V 5% BIDIR SMA
P1174.472NLT
固定式 Pulse Electronics Corporation 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR PWR SHIELD 4.7UH SMD
IRFR220TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 4.8A DPAK
OSTKH041551
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 7.62MM 4POS
NX8045GB-24.000000MHZ
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 24.000000 MHZ 8PF SMD
PBPS19003LG2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PBPC-8 PANEL FRONT 19X3.5X0.07" GREY
OSTYK42111030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 11CIRC 8.25MM
P4SMA350A
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 350V UNI 5% SMD
P118
配件 Electroswitch 非標(biāo)準(zhǔn) DIAL PLATE 1-11 DIGIT 1.87"DIA
NX8045GB-24.000000MHZ
晶體 NDK 2-SMD CRYSTAL 24.000000 MHZ 8PF SMD
OSTKH090551
接線板 - 線至板 On Shore Technology Inc CONN TERM BLOCK 6.35MM 9POS
PBPS19005GY2
支架 - 元件 Hammond Manufacturing PBPC-8 PANEL FRONT 19X5.22X0.07" GREY
OSTYK42113030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 13CIRC 8.25MM
P4SMA350A
TVS - 二極管 Littelfuse Inc DO-214AC，SMA DIODE TVS 400W 350V UNI 5% SMD

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