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IRFR3504ZTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 42A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：90W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3504ZTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 42A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：90W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3504ZTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 42A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：90W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3504ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 42A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：90W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3504ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 42A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：90W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR3504ZTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 42A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：42A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 42A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：45nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1510pF @ 25V; 功率_最大：90W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

K331K15C0GF53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 50V 10% RADIAL
K471K15X7RH5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 100V X7R RADIAL
JMK212BJ105KK-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 6.3V 10% X5R 0805
LBM2016T1R0J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 1.0UH 385MA 0806
IRFR3504ZPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 40V 42A DPAK
K822M15X7RK5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 8200PF 200V 20% RADIAL
JMK212BJ105KK-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） CAP CER 1UF 6.3V 10% X5R 0805
K331K15C0GH53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
LBM2016T2R2J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 2.2UH 340MA 0806
K822M15X7RK5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 8200PF 200V 20% RADIAL
JMK212BJ106KG-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 6.3V 10% X5R 0805
K471K15X7RL53H5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 470PF 500V X7R RADIAL
LBM2016T390J
固定式 Taiyo Yuden 0806（2016 公制） INDUCTOR WOUND 39UH 5% 0806
K331K15C0GH53L2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 330PF 100V 10% RADIAL
JMK212BJ106MG-T
陶瓷 Taiyo Yuden 0805（2012 公制） CAP CER 10UF 6.3V 20% X5R 0805

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