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IRFR3706詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3706CPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3706CTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3706CTRRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3706PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3706TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 75A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：35nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2410pF @ 10V; 功率_最大：88W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

GQM1875C2E470JB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 47PF 250V 5% NP0 0603
IRFR3706CTRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 75A DPAK
IRFR18N15DTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 150V 18A DPAK
FP1308-R11-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR HIGH CURRENT 110NH SMD
IRMCK312TR
PMIC - 電機和風扇控制器，驅(qū)動器 International Rectifier 100-LQFP IC MOTOR CTRL OTP BASED 100-QFP
H3CWH-2618M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC26H/AE26M/HPL26H
H3CWH-2636M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC26H/AE26M/HPL26H
GQM1875C2E470JB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 47PF 250V 5% NP0 0603
H5CZ-L8 AC100-240
延時型 Omron Electronics Inc-IA Div TIMER DGTL NON-UL MELA 8PIN SKT
FP1308R1-R26-R
固定式 Cooper Bussmann 非標準 INDUCTOR HIGH CURRENT 260NH SMD
IRMCK312TR
PMIC - 電機和風扇控制器，驅(qū)動器 International Rectifier 100-LQFP IC MOTOR CTRL OTP BASED 100-QFP
H3CWH-3006M
矩形 Assmann WSW Components IDC CABLE - HKC30H/AE30M/HPL30H
GQM1875C2E6R0CB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 6PF 250V NP0 0603
IRFR3707
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 61A DPAK
H5S-WB2D
延時型 Omron Electronics Inc-IA Div TIME SWITCH DGTL WEEK 2CIRC 24V

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