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IRFR3711Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3711ZCTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：Digi-Reel®

IRFR3711ZCTRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFR3711ZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR3711ZTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR3711ZTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 93A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：93A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：5.7 毫歐 @ 15A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2.45V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2160pF @ 10V; 功率_最大：79W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

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FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 200V 5A DPAK
H3DDH-3018G
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H5Z 050 0200 13
螺絲釘，螺栓 B&F Fastener Supply HEAD BOLT HEX 1/2-13X2 H5Z
GQM1875C2ER30CB12D
陶瓷 Murata Electronics North America 0603（1608 公制） CAP CER 0.3PF 250V NP0 0603

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