

IRFR5505詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 9.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR5505CPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 9.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:管件
IRFR5505CTRLPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 9.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
IRFR5505GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 9.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:Digi-Reel®
IRFR5505GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 9.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:剪切帶 (CT)
IRFR5505GTRPBF詳細規格
- 類別:FET - 單
- 描述:MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 系列:HEXFET®
- 制造商:International Rectifier
- FET型:MOSFET P 通道,金屬氧化物
- FET特點:標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444:55V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C:18A
- 開態Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:110 毫歐 @ 9.6A,10V
- Id時的Vgs333th444(最大):4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs:32nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds:650pF @ 25V
- 功率_最大:57W
- 安裝類型:表面貼裝
- 封裝/外殼:TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63
- 供應商設備封裝:D-Pak
- 包裝:帶卷 (TR)
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET DIN-RAIL
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3,DPak(2 引線+接片),SC-63 MOSFET P-CH 55V 18A DPAK
- 配件 NKK Switches BOARD LOGIC 2OLED DISPLAY SOCKET
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 68PF 3KV 10% RADIAL
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 PHOTOELECTRIC SENSOR
- 評估演示板和套件 Intersil 6-WFBGA,CSPBGA EVAL BOARD FOR ISL59112IEZ
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT W/DIODE 600V 20.3A TO220FP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div MOUNTING BRACKET DIN-RAIL
- PMIC - MOSFET,電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC MOSFET DRVR SYNC BUCK 10-DFN
- 陶瓷 Vishay BC Components 徑向,圓盤 CAP CER 120PF 3KV 20% RADIAL
- 評估演示板和套件 Intersil 10-UFQFN EVAL BOARD FOR ISL59115IRUZ
- 光學 - 光斷續器 - 槽型 - 邏輯輸出 Omron Electronics Inc-IA Div 模塊,預接線 RECEIVER ONLY FOR E3S-2B41
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div L-BRACKET TALL HORIZONT FOR E3T
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-220-3 整包 IGBT W/DIODE 600V 17A TO220FP