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IRFR9210詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR9210PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRFR9210TR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9210TRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9210TRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRFR9210TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 200V 1.9A DPAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：200V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1.9A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 歐姆 @ 1.1A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：8.9nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：170pF @ 25V; 功率_最大：2.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：剪切帶 (CT)

FCN1206A122J
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
CSX325T26.000M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 26.000MHZ 3.0V SMD
IRFR9120PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
IDT49FCT806ASOG8
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘緩沖器，驅(qū)動(dòng)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
CSX532T13.000M2-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 13.000MHZ 2.8V SMD
IRFR9120TRPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 100V 5.6A DPAK
F331K29Y5RP6UK5R
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
GTC030-28-51S
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 12POS PANEL MNT W/SCKT
FCN1206A122J-H2
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1200PF 100VDC 1206
IDT49FCT806SO
時(shí)鐘/計(jì)時(shí) - 時(shí)鐘緩沖器，驅(qū)動(dòng)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 20-SOIC（0.295"，7.50mm 寬） IC CLOCK BUFFER 1:5 80MHZ 20SOIC
CSX532T19.200M3-UT10
振蕩器 Citizen Finetech Miyota 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSC TCXO 19.200MHZ 3.0V SMD
F331K29Y5RP6XT7RX1
陶瓷 Vishay BC Components 徑向，圓盤 CAP CER 330PF 2KV 10% RADIAL
GTC030-28-AYP
連接器，互連器件 Amphenol Industrial Operations CONN RCPT 9POS PANEL MNT W/PINS
IRFR9310TRL
FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
FCN1206A152J-H2
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 1206（3216 公制） CAP FILM 1500PF 100VDC 1206