IRFR9310詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：400V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 1.1A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR9310PBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：400V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 1.1A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRFR9310TR詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：400V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 1.1A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9310TRL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：400V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 1.1A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9310TRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：400V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 1.1A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRFR9310TRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：400V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：1.8A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 歐姆 @ 1.1A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：13nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：270pF @ 25V
- 功率_最大：50W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 11POS W/SKT JAM NUT
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 30-WFBGA IC AMP AUD PWR STEREO SMD
- 配件 Microsemi SoC TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 HARDWARE IP DAUGHTER CARD
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 200V 3.6A DPAK
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 12-WFBGA IC AMP AUDIO SPEAKER DVR 12USMD
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 11POS JAM NUT SKT
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 8-VFBGA IC AMP AUDIO PWR 1W MONO 8USMD
- 接口 - 傳感器和探測器接口 Texas Instruments 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC AMP PROGRAM AFE 14-SOIC
- PMIC - 電壓基準 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC VREF SERIES PREC 2.048V 8SOIC
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 12-WFBGA IC AMP AUDIO SPEAKER DVR 12USMD
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 32POS JAM NUT W/PIN
- 線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 8-VFBGA IC AMP AUDIO PWR 1W MONO 8USMD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OP AMP PREC RR I/O SGL 8-SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 25V 50A DPAK
- FET - 單 Vishay Siliconix TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET P-CH 400V 1.8A DPAK
13510131896 
0755-83222787 
