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IRFU4105詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU4105PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 27A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：27A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：45 毫歐 @ 16A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：34nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：700pF @ 25V; 功率_最大：68W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU4105Z詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU4105ZPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：I-Pak; 包裝：管件

IRFU4105ZTR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-251AA; 包裝：帶卷 (TR)

IRFU4105ZTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 30A I-PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：30A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：24.5 毫歐 @ 18A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 25V; 功率_最大：48W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-251-3 短引線，IPak，TO-251AA; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-251AA; 包裝：帶卷 (TR)

ECQ-E4684JFW
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.68UF 400VDC RADIAL
ISL23348UFRZ
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT 4CH 50K 20QFN
IPP47N10SL-26
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 100V 47A TO220-3
IRFU3711
FET - 單 International Rectifier TO-251-3 長(zhǎng)引線，IPak，TO-251AB MOSFET N-CH 20V 100A I-PAK
LMR62421XSDE/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments 6-WDFN 裸露焊盤 IC REG BOOST ADJ 2.1A 6LLP
INA121U/2K5G4
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP INSTR 600KHZ SGL 8SOIC
LM4951ASDBD/NOPB
評(píng)估板 - 音頻放大器 Texas Instruments 10-WDFN 裸露焊盤 BOARD EVAL FOR LM4951A
ECQ-E4684KZ
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.68UF 400VDC RADIAL
ISL23348UFVZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DGTL POT 4CH 50K 20TSSOP
LMR64010XMF/NOPB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - DC DC 開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器 Texas Instruments SC-74A，SOT-753 IC REG BOOST ADJ 1A SOT23-5
LM4951SD/NOPB
線性 - 音頻放大器 Texas Instruments 10-WDFN 裸露焊盤 IC AMP AUDIO PWR 1.8W MONO 10LLP
ISL23348WFRZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-VFQFN 裸露焊盤 IC DGTL POT 4CH 10K 20QFN
ECQ-E4823JF9
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.082UF 400VDC RADIAL
INA122U/2K5
Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP INSTR 120KHZ SGL 8SOIC
IPP60R520E6
FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 MOSFET N-CH 600V 8.1A TO220

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IRFU3711

LMR62421XSDE/NOPB

INA121U/2K5G4

LM4951ASDBD/NOPB

ECQ-E4684KZ

ISL23348UFVZ-T7A

LMR64010XMF/NOPB

LM4951SD/NOPB

ISL23348WFRZ-T7A

ECQ-E4823JF9

INA122U/2K5

IPP60R520E6

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