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IRFZ14S詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ14SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ14STRL詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFZ14STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-263（D2Pak）; 包裝：帶卷 (TR)

IRFZ14STRR詳細(xì)規(guī)格: 類(lèi)別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK; 系列：-; 制造商：Vishay Siliconix; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn); 漏極至源極電壓333Vdss444：60V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：10A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：200 毫歐 @ 6A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：300pF @ 25V; 功率_最大：3.7W; 安裝類(lèi)型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

FDS6680AS
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 11.5A 8SOIC
ISC1812ES331K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 330UH 10% 1812
GJM0335C1E5R2CB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.2PF 25V NP0 0201
IRFW630BTM_FP001
FET - 單 Fairchild Semiconductor TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 200V 9A D2PAK
H48-6G-150-150-1.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X1MM
IQ1030 2202
配件 APM Hexseal TO-247-3 BOOT SWITCH TOGGLE BLACK
FDS6682
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 14A 8SOIC
IRFZ14STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 60V 10A D2PAK
ISC1812ESR12K
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 10% 1812
H48-6G-150-150-5.0-0
熱 - 墊，片 t-Global Technology H48-6 SHEET 150X150X5MM
IQ82C55A96
接口 - I/O 擴(kuò)展器 Intersil 44-QFP IC I/O EXPANDER 24B 44MQFP
IRFZ24PBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
FDS6699S
FET - 單 Fairchild Semiconductor 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 21A 8SOIC
ISC1812ESR12M
固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 120NH 20% 1812
GJM0335C1E5R3WB01D
陶瓷 Murata Electronics North America 0201（0603 公制） CAP CER 5.3PF 25V NP0 0201

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