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IRFZ24N,127詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO220AB; 系列：TrenchMOS™; 制造商：NXP Semiconductors; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 1mA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：19nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：500pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFZ24NL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRFZ24NLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRFZ24NPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：45W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRFZ24NSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ24NSTRL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 17A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：17A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：70 毫歐 @ 10A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：20nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：370pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

HFBR-RTD010
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 10M
FQ5032B-16
晶體 Fox Electronics 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 16.0 MHZ 20PF SMD
IRFZ24
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 MOSFET N-CH 60V 17A TO-220AB
JR25WCCA-8
圓形 - 配件 Hirose Electric Co Ltd CONN STRAIN RELIEF JR25 8MM
FWP-200A
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 圓柱形，扁平端子（螺栓） FUSE 200A 700V BOLT-ON
CY7C185-25PC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 28-DIP（0.300"，7.62mm） IC SRAM 64KBIT 25NS 28DIP
IRF7338TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
IRLR3714TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 36A DPAK
HFBR-RTD45DZ
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 4.5M
JR25WP-4S(71)
連接器，互連器件 Hirose Electric Co Ltd CONN PLUG WATERPROOF 4POS FMALE
FWP-20A14F
保險絲 - 電氣，特制 Cooper Bussmann 盒，非標準 FUSE 20A 700V HS FERRULE
CY7C1911KV18-300BZXC
存儲器 Cypress Semiconductor Corp 165-LBGA IC SRAM 2MX9 1.8V SYNC 165FBGA
IRF7338TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N/P-CH 12V 6.3A 8-SOIC
HFBR-RTD45DZ
配件 Avago Technologies US Inc. CABLE POF BLK PLAST DUPLEX 4.5M
IRLR3714TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 36A DPAK