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IRFZ48NS詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ48NSPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRFZ48NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRFZ48NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRFZ48NSTRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRFZ48NSTRR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：標準; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 32A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：4V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：81nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1970pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

P1300EARP1
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SIDACTOR BI 120V 150A TO-92
OX393KE
通孔電阻器 Ohmite 軸向 RES CERAMIC COMP 39K OHM 1W
IRFZ46ZSPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK
OSTYK61111030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 11CIRC 10MM
P1803AB
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）標片 SIDAC SYM 3CHP 150V 250A TO-220
OSTYK50618330
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 18CIRC 9.50MM
MP8-3Q-1L-00
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTVH135150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 13POS
P1300EBLRP1
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC） SIDACTOR BI 120V 250A TO-92
OSTYK61113030
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 13CIRC 10MM
P1803AB60
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-220-3（SMT）標片 SIDACTOR 3CHP 250V 250A TO-220
OSTYK50621130
接線座 - 隔板塊 On Shore Technology Inc CONN BARRIER STRIP 21CIRC 9.50MM
MP8-3Q-1L-0M
AC DC 轉(zhuǎn)換器 Emerson Network Power/Embedded Power MP CONFIGURABLE POWER SUPPLY
OSTVH165150
接線座 - 接頭，插頭和插口 On Shore Technology Inc TERM BLOCK PLUG 5.08MM 16POS
P1300EBRP2
TVS - 晶閘管 Littelfuse Inc TO-226-2，TO-92-2（TO-226AC）成形引線 SIDACTOR BI 120V 250A TO-92

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