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IRL1404ZS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL1404ZSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL1404ZSTRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V; 功率_最大：230W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL1404ZSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRL1404ZSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRL1404ZSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：40V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：75A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3.1 毫歐 @ 75A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.7V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：110nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：5080pF @ 25V; 功率_最大：200W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

K152M15X7RL5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 1500PF 500V X7R RADIAL
ECW-HA3C362J4
薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 3600PF 1.6KVDC RADIAL
IRL1404ZSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 40V 75A D2PAK
KC3225A49.1520C30E00
振蕩器 AVX Corp/Kyocera Corp 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 49.1520MHZ 3.3V SMD
LDQ2G181MERAGA
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 180UF 400V 20% RADIAL
ISL23348WFVZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 20-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC DGTL POT 4CH 10K 20TSSOP
K103Z15Y5VE5TL2
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 10000PF 25V RADIAL
EEC26DREN
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS .100 EYELET
K153J15X7RF5UH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.015UF 50V 5% RADIAL
KC3225A49.1520C30E00
振蕩器 AVX Corp/Kyocera Corp 4-SMD，無引線（DFN，LCC） OSCILLATOR 49.1520MHZ 3.3V SMD
ISL23415UFRUZ-T7A
數(shù)據(jù)采集 - 數(shù)字電位器 Intersil 10-UFQFN IC DGTL POT 256POS 50K 10TQFN
LDQ2G181MERYGA
電容器 Nichicon 徑向，Can CAP ALUM 180UF 400V 20% RADIAL
EEC26DREN-S13
Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 52POS .100 EXTEND
LML-6LVN-WOV
LED- 高亮度電源模塊 Dialight 1812（4532 公制） POWERWHITE MODULE LV NW OVAL
K153K10X7RF5TH5
陶瓷 Vishay BC Components 徑向 CAP CER 0.015UF 50V 10% RADIAL