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IRL2203NS詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL2203NSPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL2203NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL2203NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：Digi-Reel®

IRL2203NSTRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：剪切帶 (CT)

IRL2203NSTRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 116A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：116A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 60A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3290pF @ 25V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

ISL6402IR-TK
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 線性 + 切換式 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盤 IC REG TRPL BCK/LINEAR 28QFN
J85480S1L21Z
配件 GE 4 SLOT SHELF
IXSH30N60CD1
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT W/DIODE 600V 55A TO-247AD
HCF4041UM013TR
邏輯 - 緩沖器，驅(qū)動器，接收器，收發(fā)器 STMicroelectronics 14-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC BUFF QD TRU/COM N-INV 14SOICN
IRL2203NLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 116A TO-262
CV500-LK201
配件 Omron Electronics Inc-IA Div HOST LINK MODULE CV 2 PORTS
IXSH35N100A
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT HI SPEED 1000V 70A TO-247AD
J-884 PL/UNPD
箱 LMB Heeger Inc. BOX ALUMINUM: 10"X6"X3 1/2"
ISL6405EEB
PMIC - 穩(wěn)壓器 - 專用型 Intersil 28-SOIC（0.295"，7.50mm 寬）裸露焊盤 IC VOLT REG DUAL LNB 28-EPSOIC
HCF4049UM013TR
邏輯 - 柵極和逆變器 STMicroelectronics 16-SOIC（0.154"，3.90mm Width）裸露焊盤 IC BUFF/CNVRTR HEX INVER 16SOICN
IXSH45N100
IGBT - 單路 IXYS TO-247-3 IGBT 1000V SCSOA TO-247
CV500-LK201
配件 Omron Electronics Inc-IA Div HOST LINK MODULE CV 2 PORTS
J901
配件 Staco Energy Products Company TRANSFORMER VARIABLE
IXSK30N60CD1
IGBT - 單路 IXYS TO-264-3，TO-264AA IGBT 600V SCSOA TO-264
HCM49-17.734475MABJ-UT
晶體 Citizen Finetech Miyota HC49/US CRYSTAL 17.734475 MHZ 18PF SMD

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