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IRL3103D1詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL3103D1PBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 64A TO-220AB; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：2W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL3103D1S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3103D1SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3103D1STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3103D1STRLP詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK; 系列：FETKY™; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：64A; 開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 34A，10V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：43nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1900pF @ 25V; 功率_最大：3.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

EXB-D10C684J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 680K OHM 8 RES 1206
CRCW25121R87FNEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 1.87 OHM 1W 1% 2512 SMD
IRL2703S
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 24A D2PAK
IRF8513PBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH DUAL 30V 8-SOIC
IRF7420TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 12V 11.5A 8-SOIC
IHSM7832ER103L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 10000UH .16A SMD
IRL3103D1SPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK-5
CRCW2512200KJNEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 200K OHM 1W 5% 2512 SMD
EXB-D10C820J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 82 OHM 8 RES 1206
IRF7424GTRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 11A 8-SOIC
IHSM7832ER123L
固定式 Vishay Dale 非標(biāo)準(zhǔn) INDUCTOR POWER 12000UH .14A SMD
IRF8788TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 30V 24A SO-8
IRL3103L
FET - 單 International Rectifier TO-262-3，長(zhǎng)引線，I²Pak，TO-262AA MOSFET N-CH 30V 64A TO-262
CRCW2512200RFKEGHP
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 200 OHM 1.5W 1% 2512 SMD
EXB-D10C823J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 82K OHM 8 RES 1206