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IRL3302S詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3302SPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3302STRL詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3302STRLPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3302STRR詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 39A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：39A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：20 毫歐 @ 23A，7V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：700mV @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：31nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1300pF @ 15V; 功率_最大：57W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D2PAK; 包裝：帶卷 (TR)

IRL3103S
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 64A D2PAK
IRF7425
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 20V 15A 8-SOIC
IHSM7832ER150L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 15UH 4.5A SMD
IRF9333TRPBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 9.2A 8-SOIC
CRCW2512200RFKTG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 200 OHM 1W 1% 2512 SMD
EXB-D6JP000A
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1206（3216 公制），凹陷 RES ARRAY 0.0 OHM RES 1206
IRL3202S
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 48A D2PAK
IRF9358TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 30V 9.2A DUAL 8SOIC
IHSM7832ER220L
固定式 Vishay Dale INDUCTOR POWER 22UH 3.8A SMD
EXB-E10C101J
網(wǎng)絡(luò)、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 100 OHM 8 RES 1608
CRCW2512205KFKTG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 205K OHM 1W 1% 2512 SMD
IRF9362TRPBF
FET - 陣列 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH DUAL 30V 8A 8-SOIC
IRL3303S
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
IRF9383MTR1PBF
FET - 單 International Rectifier * MOSF P CH 30V 22A DIRECTFET
IRF7433PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC

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IRL3302S供應(yīng)商

IRL3103S

IRF7425

IHSM7832ER150L

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CRCW2512200RFKTG

EXB-D6JP000A

IRL3202S

IRF9358TRPBF

IHSM7832ER220L

EXB-E10C101J

CRCW2512205KFKTG

IRF9362TRPBF

IRL3303S

IRF9383MTR1PBF

IRF7433PBF