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IRL3705Z詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 52A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL3705ZL詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 52A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL3705ZLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-262; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 52A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-262-3，長引線，I²Pak，TO-262AA; 供應商設備封裝：TO-262; 包裝：管件

IRL3705ZPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A TO-220AB; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 52A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：通孔; 封裝/外殼：TO-220-3; 供應商設備封裝：TO-220AB; 包裝：管件

IRL3705ZS詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 52A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRL3705ZSPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：55V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：75A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：8 毫歐 @ 52A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：60nC @ 5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2880pF @ 25V; 功率_最大：130W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB; 供應商設備封裝：D2PAK; 包裝：管件

IRF7433PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET P-CH 12V 8.9A 8-SOIC
IHSM7832ER2R2L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 2.2UH 8.4A SMD
IRL3303STRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 30V 38A D2PAK
EXB-E10C104J
網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 100K OHM 8 RES 1608
CRCW2512205RFKEG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 205 OHM 1W 1% 2512 SMD
IRF9395MTR1PBF
FET - 陣列 International Rectifier DirectFET? 等距 MC MOSFET 2P-CH 30V 14A DIRECTFET
IRL3402STRR
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 85A D2PAK
IRF7451TR
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 150V 3.6A 8-SOIC
IHSM7832ER332L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 3300UH .27A SMD
CRCW251220K5FKTG
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Dale 2512（6432 公制） RES 20.5K OHM 1W 1% 2512 SMD
EXB-E10C105J
網絡、陣列 Panasonic Electronic Components 1608（4021 公制），凹陷 RES ARRAY 1M OHM 8 RES 1608
IRL3705ZSTRLPBF
FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 55V 75A D2PAK
IRF9510STRLPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET P-CH 100V 4A D2PAK
IRF7452PBF
FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-SOIC
IHSM7832ER472L
固定式 Vishay Dale 非標準 INDUCTOR POWER 4700UH .23A SMD