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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRLD110 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IRLD110詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 600mA，5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
功率_最大：1.3W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝：管件

IRLD110PBF詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 100V 1A 4-DIP
系列：-
制造商：Vishay Siliconix
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門(mén)
漏極至源極電壓333Vdss444：100V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：1A
開(kāi)態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：540 毫歐 @ 600mA，5V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：6.1nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：250pF @ 25V
功率_最大：1.3W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：4-DIP（0.300"，7.62mm）
供應(yīng)商設(shè)備封裝：4-DIP，Hexdip，HVMDIP
包裝：管件

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