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IRLH6224TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 10V; 功率_最大：3.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5x6）; 包裝：Digi-Reel®

IRLH6224TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 10V; 功率_最大：3.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5x6）; 包裝：帶卷 (TR)

IRLH6224TRPBF詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 28A PQFN 5X6; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：28A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：3 毫歐 @ 20A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 50µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：86nC @ 10V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：3710pF @ 10V; 功率_最大：3.6W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：8-PowerTDFN; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：8-PQFN（5x6）; 包裝：剪切帶 (CT)

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剝線器和配件 OK Industries/Div of Jonard Ind Corp 11-DIP SMD 模塊 TOOL CUT & STRIP 22-24AWG
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半導(dǎo)體產(chǎn)品 - 分立元件分類 Infineon Technologies KIT SAMPLE FOR MIX/DETECT PWRLVL
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連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 6POS WALL MNT W/PINS

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