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IRLHS6342TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15.5 毫歐 @ 8.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 10µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1019pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVDFN; 供應商設備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：帶卷 (TR)

IRLHS6342TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15.5 毫歐 @ 8.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 10µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1019pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVDFN; 供應商設備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：剪切帶 (CT)

IRLHS6342TR2PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 8.7A PQFN; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：8.7A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：15.5 毫歐 @ 8.5A，4.5V; Id時的Vgs333th444（最大）：1.1V @ 10µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1019pF @ 25V; 功率_最大：2.1W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-PowerVDFN; 供應商設備封裝：6-PQFN（2x2）; 包裝：Digi-Reel®

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