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IRLR3715詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR3715PBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR3715TR詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR3715TRL詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR3715TRLPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR3715TRPBF詳細規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 20V 54A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：54A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：14 毫歐 @ 26A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：17nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：1060pF @ 10V; 功率_最大：3.8W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

H3BXG-10106-V6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3049V/X 6"
CTX20-1-52-R
固定式 Cooper Bussmann 徑向 INDUCTOR TOROID PWR 20UH VERT
G79-M50-25-D1
配件 Omron Electronics Inc-IA Div .50M MIX I-O CABLE 2 CONNECTOR
IRLR3715PBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 54A DPAK
H3BXG-10108-B4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015B/X 8"
IRFIZ34GPBF
FET - 單 Vishay Siliconix TO-220-3 全封裝，隔離接片 MOSFET N-CH 60V 20A TO220FP
H3BXG-10108-N6-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A3049N/X 8"
CTX20-2-52LP-R
固定式 Cooper Bussmann 徑向 INDUCTOR TOROID PWR 20UH HORZ
GPM40-5
AC DC 轉(zhuǎn)換器 SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands PS MEDICAL SWITCHING 5V 8A
H3BXG-10108-S4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015S/X 8"
IRFL014NPBF
FET - 單 International Rectifier TO-261-4，TO-261AA MOSFET N-CH 55V 1.9A SOT223
CTX20-2-52-R
固定式 Cooper Bussmann 徑向 INDUCTOR TOROID PWR 20UH VERT
GPM55-12G
AC DC 轉(zhuǎn)換器 SL Power Electronics Manufacture of Condor/Ault Brands PS MEDICAL SWITCHING 12V 5.80A
H3BXG-10110-V4-ND
跳線，預(yù)壓接線 Hirose Electric Co Ltd JUMPER-H1505TR/A2015V/X 10"
G79-O100C-75
配件 Omron Electronics Inc-IA Div CABLE 1M W/2 CONN (OUTPUT)

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