<![CDATA[<blockquote id="ohpju"></blockquote>]]>
<![CDATA[<abbr id="ohpju"><th id="ohpju"></th></abbr>]]> | | |
|
<![CDATA[<u id="ohpju"></u>]]>|
<![CDATA[<del id="ohpju"><option id="ohpju"></option></del>]]> |
|
| |
|
| |
|
| |
IRLR3715ZTR 全國供應商、價格、PDF資料
IRLR3715ZTR詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR3715ZTRL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR3715ZTRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR3715ZTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR3715ZTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：剪切帶 (CT)
IRLR3715ZTRPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 20V 49A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：20V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：49A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：11 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2.55V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：11nC @ 4.5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：810pF @ 10V
- 功率_最大：40W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：Digi-Reel®
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 2200PF 250VAC RADIAL
- PMIC - MOSFET，電橋驅動器 - 外部開關 Intersil 8-DIP（0.300"，7.62mm） IC DRVR MOSFET DUAL-CH 8-PDIP
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 20V 37A DPAK
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 8POS W/SKT CABLE R/A
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 39POS BOX MNT W/SKTS
- 接口 - 驅動器，接收器，收發器 Intersil 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） IC TXRX RS485 FAULT PROT 8SOIC
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP
- PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Power Integrations 8-DIP（0.300"，7.62mm），7 引線 IC OFFLINE SWIT OCP HV 8DIP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.022UF 275VAC RADIAL
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN PLUG 12POS W/PIN CABLE R/A
- 連接器，互連器件 ITT Cannon CONN RCPT 41POS BOX MNT W/PINS
- FET - 單 Infineon Technologies TO-220-3 整包 MOSFET N-CH 650V 6.0A TO220
- PMIC - AC-DC 轉換器，離線開關 Power Integrations 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬）7 引線 IC OFFLINE SWIT HV 8SOP
- 薄膜 Panasonic Electronic Components 徑向 CAP FILM 0.22UF 275VAC RADIAL
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 10-VFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 2.5V/2.8V .3A 10-DFN
0755-88291559 
0755-23919407 
