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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IRLR4343TRL 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IRLR4343TRL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：26A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 50V
功率_最大：79W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)

IRLR4343TRL詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 55V 26A DPAK
系列：HEXFET®
制造商：International Rectifier
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：邏輯電平門
漏極至源極電壓333Vdss444：55V
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：26A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：50 毫歐 @ 4.7A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：1V @ 250µA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：42nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：740pF @ 50V
功率_最大：79W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
供應(yīng)商設(shè)備封裝：D-Pak
包裝：帶卷 (TR)

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