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IRLR7833詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4010pF @ 15V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR7833CPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A DPAK; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR7833CTRLPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A DPAK; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR7833CTRRPBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A DPAK; 系列：-; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：-; Id時的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：-; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-; 功率_最大：-; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

IRLR7833PBF詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4010pF @ 15V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：管件

IRLR7833TR詳細規格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET N-CH 30V 140A DPAK; 系列：HEXFET®; 制造商：International Rectifier; FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物; FET特點：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：30V; 電流_連續漏極333Id4440a025000C：140A; 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：4.5 毫歐 @ 15A，10V; Id時的Vgs333th444（最大）：2.3V @ 250µA; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：4010pF @ 15V; 功率_最大：140W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63; 供應商設備封裝：D-Pak; 包裝：帶卷 (TR)

P51-1500-S-E-MD-4.5OVP-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSI 3/8-24 UNF 4.5V
IRLML2402TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 1.2A SOT-23
IRLR7833CTRRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 140A DPAK
ISD5216EY
接口 - 語音錄制和重放 Nuvoton Technology Corporation of America 28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬) IC VOICE REC/PLAY 8-16MIN 28TSOP
P0721DF-1E
TVS - 其它復合 Littelfuse Inc 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） SIDACTOR SLIC ENHC 65V 30A SOIC8
P-304-DB
葉片型電源 Cinch Connectors CONN PLUG 4POS CADMIUM SOLDER
MPTE-005
TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-201AD，軸向 DIODE TVS 1500W 5V UNI DO-201AD
IRLML2502GTRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT-23-3
P51-1500-S-F-MD-4.5V-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSI 1/4-18NPT .5-4.5V
ISL88003IH26Z-T7A
PMIC - 監控器 Intersil TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 IC VOLT SUPERVISOR 2.63V SOT23-3
P0721SA
TVS - 其它復合 Littelfuse Inc DO-214AA，SMB SIDAC SLIC UNI 65V 150A DO-214AA
P-30AA
電池組 Panasonic - BSG BATTERY PACK NICAD 7.2V 300MAH
MPTE-12RL4G
TVS - 二極管 ON Semiconductor DO-201AD，軸向 DIODE TVS 1500W 12V UNI DO-201AD
P51-1500-S-G-D-20MA-000-000
壓力 SSI Technologies Inc 不銹鋼 SENSOR 1500PSIS 1/8 NPT 4-20MA
IRLML5103TRPBF
FET - 單 International Rectifier TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 MOSFET P-CH 30V 760MA SOT-23

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