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IRLR8103TR詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：89A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：2V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：89W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR8103TRL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：89A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：89W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR8103TRR詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 89A DPAK
- 系列：-
- 制造商：Vishay Siliconix
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：89A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：7 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：-
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：50nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：-
- 功率_最大：89W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR8103VPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：91A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
- 功率_最大：115W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：管件
IRLR8103VTRL詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：91A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
- 功率_最大：115W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
IRLR8103VTRLPBF詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 系列：HEXFET®
- 制造商：International Rectifier
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：邏輯電平門
- 漏極至源極電壓333Vdss444：30V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：91A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：9 毫歐 @ 15A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：3V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：27nC @ 5V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2672pF @ 16V
- 功率_最大：115W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63
- 供應商設備封裝：D-Pak
- 包裝：帶卷 (TR)
- 接口 - 專用 Intersil 46-WFQFN 裸露焊盤 IC QUAD DE-EMP DRIVER 46WQFN
- IGBT - 單路 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB IGBT UFAST 600V 11A COPACK D2PAK
- FET - 單 International Rectifier TO-252-3，DPak（2 引線+接片），SC-63 MOSFET N-CH 30V 91A DPAK
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A R/A
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 寬） IC OP AMP DUAL RRIO 4.5MHZ 8MSOP
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR HARD PLASTIC FOR PHOTO
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO LN 3.3/1.8V 6UTDFN
- PMIC - 穩壓器 - 專用型 International Rectifier TO-220-5 IC SWTCH PWR 650V 2.5A TO-220-5
- 背板 - 硬公制，標準 FCI CONN HEADER 110POS TYPE A R/A
- Card Edge, Edgeboard Connectors Sullins Connector Solutions CONN EDGECARD 120PS DIP .100 SLD
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Intersil 16-SSOP（0.154"，3.90mm 寬） IC OPAMP DUAL RRIO MCPWR 16-QSOP
- 配件 Omron Electronics Inc-IA Div REFLECTOR HARD PLASTIC FOR PHOTO
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Intersil 6-UFDFN 裸露焊盤 IC REG LDO 3.3/1.2V .15A 6-UTDFN
- 二極管，整流器 Vishay Semiconductors INT-A-PAK（3） DIODE STD REC 800V 165A INTAPAK
0755-88291559 
0755-23914006 
