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» 型號(hào)"ISC1812ESR22J"的供應(yīng)信息
ISC1812ESR22J 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠(chǎng)商:
批號(hào):
封裝:
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ISC1812ESR22J詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:固定式
描述:INDUCTOR WW 220NH 5% 1812
系列:ISC-1812
制造商:Vishay Dale
類(lèi)型:非磁性芯體
電感:220nH
電流:
額定電流:441mA
電流_飽和值:-
容差:±5%
材料_磁芯:無(wú)磁性
屏蔽:屏蔽
DC電阻333DCR444:最大 360 毫歐
不同頻率時(shí)的Q值:30 @ 25.2MHz
頻率_自諧振:310MHz
工作溫度:-55°C ~ 125°C
封裝/外殼:1812(4532 公制)
大小/尺寸:0.177" L x 0.126" W x 0.126" H(4.50mm x 3.20mm x 3.20mm)
安裝類(lèi)型:表面貼裝
包裝:帶卷 (TR)
ISC1812ESR22J供應(yīng)商
ISC1812ESR22J
深圳市諾洋電子科技有限公司
0755-83223003
ISC1812ESR22J
深圳市科雨電子有限公司
13352995145(微
查看更多ISC1812ESR22J的供應(yīng)商
ISC1812ES471J
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 470UH 5% 1812
FLA.00.250.NTAD52
同軸,RF LEMO 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) PLUG 90 COAX D-COL
FM25E64-2GTR
存儲(chǔ)器 Ramtron 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) IC MEMORY
IDT70V3589S133DRI
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 2MBIT 133MHZ 208QFP
CW010100K0JS73
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 100K OHM 13W 5% WW AXIAL
ISC1812ESR10M
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 100NH 20% 1812
ISD-ES501
過(guò)時(shí)/停產(chǎn)零件編號(hào) Nuvoton Technology Corporation of America EVALUATION SYSTEM FOR ISD5008
FLA.0S.304.CLAC37
連接器,互連器件 LEMO 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) PLUG 90 4CTS C-COL
FM25H20-DGTR
存儲(chǔ)器 Ramtron 8-WDFN 裸露焊盤(pán) IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
ISE40-T1-22
壓力 SMC Corporation of America 模塊 SENSOR PRESSURE 1MPA NPN/ ANLG
IDT70V3599S133DRI
存儲(chǔ)器 IDT, Integrated Device Technology Inc 208-BFQFP IC SRAM 4MBIT 133MHZ 208QFP
FLA.0S.304.CLAK52Z
連接器,互連器件 LEMO 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) PLUG 90 4CTS C-COL
FM25H20-DGTR
存儲(chǔ)器 Ramtron 8-WDFN 裸露焊盤(pán) IC FRAM 2MBIT SPI 40MHZ 8TDFN
CW010100R0KE12
通孔電阻器 Vishay Dale 軸向 RES 100 OHM 13W 10% WW AXIAL
ISC1812ESR22M
固定式 Vishay Dale 1812(4532 公制) INDUCTOR WW 220NH 20% 1812
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