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IXFN32N120 全國供應商、價格、PDF資料

型號:廠商:批號:封裝:
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IXFN32N120詳細規(guī)格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
系列:HiPerFET™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:1200V(1.2kV)
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:32A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:350 毫歐 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):5V @ 8mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:400nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:15900pF @ 25V
功率_最大:780W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件

IXFN32N120P詳細規(guī)格

類別:FET
描述:MOSFET N-CH 1200V 32A SOT-227B
系列:Polar™
制造商:IXYS
FET型:MOSFET N 通道,金屬氧化物
FET特點:標準
漏極至源極電壓333Vdss444:1200V(1.2kV)
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C:32A
開態(tài)Rds(最大)0a0IdwwwwVgs0a025000C:310 毫歐 @ 500mA,10V
Id時的Vgs333th444(最大):6.5V @ 1mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs:360nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds:21000pF @ 25V
功率_最大:1000W
安裝類型:底座安裝
封裝/外殼:SOT-227-4,miniBLOC
供應商設備封裝:SOT-227B
包裝:管件

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