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IC供應(yīng)PDF資料非IC供應(yīng)

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IXFT12N100 全國供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

型號(hào)：廠商：批號(hào)：封裝：
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IXFT12N100詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268
系列：HiPerFET™
制造商：IXYS
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 6A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：4.5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：155nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4000pF @ 25V
功率_最大：300W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-268
包裝：管件

IXFT12N100Q詳細(xì)規(guī)格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 1000V 12A TO268
系列：HiPerFET™
制造商：IXYS
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點(diǎn)：標(biāo)準(zhǔn)
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：12A
開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 6A，10V
Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：90nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：2900pF @ 25V
功率_最大：300W
安裝類型：通孔
封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應(yīng)商設(shè)備封裝：TO-268
包裝：管件

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