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IXFT15N100Q 全國供應商、價格、PDF資料

型號：廠商：批號：封裝：
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IXFT15N100Q詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
系列：HiPerFET™
制造商：IXYS
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：700 毫歐 @ 500mA，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：170nC @ 5V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：4500pF @ 25V
功率_最大：360W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝：TO-268
包裝：管件

IXFT15N100Q3詳細規格

類別：FET - 單
描述：MOSFET N-CH 1000V 15A TO-268
系列：HiPerFET™
制造商：IXYS
FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
FET特點：標準
漏極至源極電壓333Vdss444：1000V（1kV）
電流_連續漏極333Id4440a025000C：15A
開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：1.05 歐姆 @ 7.5A，10V
Id時的Vgs333th444（最大）：6.5V @ 4mA
閘電荷333Qg4440a0Vgs：64nC @ 10V
輸入電容333Ciss4440a0Vds：3250pF @ 25V
功率_最大：690W
安裝類型：表面貼裝
封裝/外殼：TO-268-3，D³Pak（2 引線+接片），TO-268AA
供應商設備封裝：TO-268
包裝：管件

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