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IXTV18N60P 全國供應商、價格、PDF資料
IXTV18N60P詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220
- 系列：PolarHV™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：420 毫歐 @ 9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 25V
- 功率_最大：360W
- 安裝類型：通孔
- 封裝/外殼：TO-220-3（SMT）標片
- 供應商設備封裝：PLUS220
- 包裝：管件
IXTV18N60PS詳細規格
- 類別：FET - 單
- 描述：MOSFET N-CH 600V 18A PLUS220-SMD
- 系列：PolarHV™
- 制造商：IXYS
- FET型：MOSFET N 通道，金屬氧化物
- FET特點：標準
- 漏極至源極電壓333Vdss444：600V
- 電流_連續漏極333Id4440a025000C：18A
- 開態Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：420 毫歐 @ 9A，10V
- Id時的Vgs333th444（最大）：5.5V @ 250µA
- 閘電荷333Qg4440a0Vgs：49nC @ 10V
- 輸入電容333Ciss4440a0Vds：2500pF @ 25V
- 功率_最大：360W
- 安裝類型：表面貼裝
- 封裝/外殼：PLUS-220SMD
- 供應商設備封裝：PLUS-220SMD
- 包裝：管件
- PMIC - 電源管理 - 專用 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR SGL/STEP DOWN PWM 28QFN
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 5-UFBGA IC REG LDO 3V .15A 5-USMD
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 18.432MHZ 20PF SMD
- FET - 單 IXYS PLUS-220SMD MOSFET N-CH 250V 110A PLUS220SMD
- FET - 單 International Rectifier TO-263-3，D²Pak（2 引線+接片），TO-263AB MOSFET N-CH 20V 110A D2PAK
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 56UH 10% 1812
- 晶體 ECS Inc HC49/US CRYSTAL 14.31818 MHZ 18PF 49US
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments * IC OPAMP 2.7V RRIO QUAD 14SOIC
- 晶體 ECS Inc 4-SMD，無引線（DFN，LCC） CRYSTAL 18.432 MHZ 20PF SMD
- PMIC - 電源管理 - 專用 Intersil 28-VFQFN 裸露焊盤 IC CTRLR PWM DUAL 300KHZ 28-QFN
- FET - 單 International Rectifier 8-SOIC（0.154"，3.90mm 寬） MOSFET N-CH 20V 20A 8-SOIC
- 固定式 Vishay Dale 1812（4532 公制） INDUCTOR WW 5.6UH 5% 1812
- Linear - Amplifiers - Instrumentation, OP Amps, Buffer Amps Texas Instruments 14-TSSOP（0.173"，4.40mm 寬） IC OP AMP 2.7V RRIO QUAD 14TSSOP
- 晶體 ECS Inc 圓柱形罐，徑向 CRYSTAL 14.31818 MHZ 18PF CYL
- PMIC - 穩壓器 - 線性 Texas Instruments 5-UFBGA IC REG LDO 5V .15A 5-USMD
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