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MB85R256FPFCN-G-BNDE1詳細規格: 類別：存儲器; 描述：IC FRAM 256KBIT 150NS 28TSOP; 系列：-; 制造商：Fujitsu Semiconductor America Inc; 格式_存儲器：RAM; 存儲器類型：FRAM（Ferroelectric RAM）; 存儲容量：256K (32K x 8); 速度：150ns; 接口：并聯; 電壓_電源：2.7 V ~ 3.6 V; 工作溫度：-40°C ~ 85°C; 封裝/外殼：28-TSSOP (0.465", 11.80mm 寬); 供應商器件封裝：28-TSOP I; 包裝：托盤

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FZT757TA
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MB810
RF配件 Laird Technologies IAS BR-6 ACCY MOUNT BMM 3/4 58A
MNR14E0APJ154
網絡、陣列 Rohm Semiconductor 1206（3216 公制），凸起 RES ARRAY 150K OHM 4 RES 1206
MAX6441KAMRSD3+T
PMIC - 電池管理 Maxim Integrated SOT-23-8 IC BATTERY MON DUAL SOT23-8
MCW0406MD5900BP100
芯片電阻 - 表面安裝 Vishay Beyschlag Wide 0604（1610 Metric），0406 RES 590 OHM 1/4W .1% 0406 WIDE
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MB85R256FPFCN-G-BNDE1 全國供應商、價格、PDF資料

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MAX6441KAMRVD3+T

MAX821PUS+T

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