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MBT3906DW1T1詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS DUAL GP 200MA 40V SOT363; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 PNP（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：200mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V; 功率_最大：150mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SOT-363; 包裝：剪切帶 (CT)

MBT3906DW1T1G詳細(xì)規(guī)格: 類別：晶體管(BJT) - 陣列; 描述：TRANS DUAL GP 200MA 40V SC88; 系列：-; 制造商：ON Semiconductor; 晶體管類型：2 PNP（雙）; 電流_集電極333Ic444（最大）：200mA; 電壓_集電極發(fā)射極擊穿（最大）：40V; IbeeeIc條件下的Vce飽和度（最大）：400mV @ 5mA，50mA; 電流_集電極截止（最大）：-; 在某IceeeVce時(shí)的最小直流電流增益333hFE444：100 @ 10mA，1V; 功率_最大：150mW; 頻率_轉(zhuǎn)換：250MHz; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-TSSOP，SC-88，SOT-363; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：SC-88; 包裝：剪切帶 (CT)

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