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MCH6337-TL-E 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料

MCH6337-TL-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.3nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-MCPH; 包裝：Digi-Reel®

MCH6337-TL-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.3nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-MCPH; 包裝：帶卷 (TR)

MCH6337-TL-E詳細(xì)規(guī)格: 類別：FET - 單; 描述：MOSFET P-CH 20V 4.5A MCPH6; 系列：-; 制造商：SANYO Semiconductor (U.S.A) Corporation; FET型：MOSFET P 通道，金屬氧化物; FET特點(diǎn)：邏輯電平門; 漏極至源極電壓333Vdss444：20V; 電流_連續(xù)漏極333Id4440a025000C：4.5A; 開態(tài)Rds（最大）0a0IdwwwwVgs0a025000C：49 毫歐 @ 3A，4.5V; Id時(shí)的Vgs333th444（最大）：-; 閘電荷333Qg4440a0Vgs：7.3nC @ 4.5V; 輸入電容333Ciss4440a0Vds：670pF @ 10V; 功率_最大：1.5W; 安裝類型：表面貼裝; 封裝/外殼：6-SMD，扁平引線; 供應(yīng)商設(shè)備封裝：6-MCPH; 包裝：剪切帶 (CT)

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