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庫(kù)存索引1
» 型號(hào)"MDM-51SH027P"的供應(yīng)信息
MDM-51SH027P 全國(guó)供應(yīng)商、價(jià)格、PDF資料
型號(hào):
廠商:
批號(hào):
封裝:
按地區(qū):
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MDM-51SH027P詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:D-Sub
描述:MICRO 51POS SKT 3"
系列:Micro D 金屬外殼 (MDM)
制造商:ITT Cannon
連接器樣式:D 型,超微型 D
針腳數(shù):51
排數(shù):3
外殼尺寸qqq連接器布局:0.050節(jié)距 x 0.043行到行
觸頭類(lèi)型:信號(hào)
連接器類(lèi)型:插座,母形插口
安裝類(lèi)型:自由懸掛
法蘭特性:體座/外殼(2-56)
端接:焊杯
特性:屏蔽
外殼材料qqq鍍層:鋁,帶黃色鉻酸鹽鎘鍍層
觸頭鍍層:金
觸頭鍍層厚度:-
侵入防護(hù):-
MDM-51SH027P詳細(xì)規(guī)格
類(lèi)別:D-Sub
描述:MICRO 51POS SKT 3"
系列:Micro D 金屬外殼 (MDM)
制造商:ITT Cannon
第一連接器:
第二連接器:
類(lèi)型:
針腳數(shù):51
長(zhǎng)度:
屏蔽:
顏色:
應(yīng)用:
觸頭鍍層:金
觸頭鍍層厚度:-
MDM-51SH027P供應(yīng)商
MDM-51SH027P
GERMANY XIANZHOU GROUP CO., LTD
13910052844(微
MDM-51SH027P-A174
深圳市科雨電子有限公司
13352995145(微
查看更多MDM-51SH027P的供應(yīng)商
SI3552DV-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET N/P-CH D-S 30V 6-TSOP
SD6CA-012G-000000
固態(tài)硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器 SanDisk - SSD ULTRA320 SCSI 12GB
RNF18FTD1M02
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1.02M OHM 1% AXIAL
MDM-51SH027F
D-Sub ITT Cannon MICRO 51POS SKT 3"
RNCP0603FTD1K50
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 1.5K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
SI4486EY-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET N-CH 100V 5.4A 8-SOIC
SCD205K601A3Z25
薄膜 Cornell Dubilier Electronics (CDE) 矩形接線盒 CAP FILM 2UF 600VDC SCREW
SI7119DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK
SI3588DV-T1-GE3
FET - 陣列 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP
RNCP0603FTD1K65
芯片電阻 - 表面安裝 Stackpole Electronics Inc 0603(1608 公制) RES 1.65K OHM 1/8W 1% 0603 SMD
SCD223110QCD
接口 - 控制器 Intel 100-QFP IC 2CH SER WAN COM CNTRL 100MQFP
SI4487DY-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix 8-SOIC(0.154",3.90mm 寬) MOSFET P-CH 30V 8-SOIC
RNF18FTD1M20
通孔電阻器 Stackpole Electronics Inc 軸向 RES 1/8W 1.2M OHM 1% AXIAL
SI3867DV-T1-E3
FET - 單 Vishay Siliconix 6-TSOP(0.065",1.65mm 寬) MOSFET P-CH 20V 3.9A 6-TSOP
SI7119DN-T1-GE3
FET - 單 Vishay Siliconix PowerPAK? 1212-8 MOSFET P-CH D-S 200V 1212-8 PPAK
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